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FQPF10N50CF

FQPF10N50CF ON Semiconductor

fqpf10n50cf-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details FQPF10N50CF ON Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote FQPF10N50CF nach Preis ab 2.50 EUR bis 4.82 EUR

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FQPF10N50CF FQPF10N50CF Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS46438-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
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FQPF10N50CF FQPF10N50CF Hersteller : onsemi / Fairchild FQPF10N50CF_D-2313994.pdf MOSFET 500V N-Ch MOSFET
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FQPF10N50CF Hersteller : FAIRCHILD FAIRS46438-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf10n50cf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
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FQPF10N50CF FQPF10N50CF Hersteller : ON Semiconductor 3671996601663201fqpf10n50cf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF10N50CF FQPF10N50CF Hersteller : onsemi fqpf10n50cf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 25 V
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