FQPF13N50

FQPF13N50

Produktcode: 42632
Hersteller:
Elektronische Bauelemente und Systeme - Verschiedene Bauteile 2

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Technische Details FQPF13N50

Preis FQPF13N50 ab 3.03 EUR bis 3.03 EUR

FQPF13N50
FQPF13N50
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
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241+ 3.03 EUR
FQPF13N50
Hersteller: FAIRCHILD
02+
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510 Stücke
FQPF13N50
FQPF13N50
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 500V N-Channel QFET
fqpf13n50-1192234.pdf
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FQPF13N50
FQPF13N50
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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