FQPF13N50 - Elektronische Bauelemente und Systeme - Verschiedene Bauteile 2
FQPF13N50
Produktcode: 42632
Hersteller: Elektronische Bauelemente und Systeme - Verschiedene Bauteile 2
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Technische Details FQPF13N50
Preis FQPF13N50 ab 3.03 EUR bis 3.03 EUR
 Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
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auf Bestellung 2475 Stücke  Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQPF13N50 Hersteller: FAIRCHILD 02+
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510 Stücke |
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 Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild MOSFET 500V N-Channel QFET
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube
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