FQPF6N60 - Transistoren - Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Technische Details FQPF6N60
Preis FQPF6N60 ab 2.26 EUR bis 2.26 EUR
 Hersteller: Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube 
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auf Bestellung 887 Stücke  Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: onsemi / Fairchild MOSFET 600V N-Channel QFET
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 Hersteller: onsemi Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.8A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Obsolete Packaging: Tube Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-220F-3 Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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