FQPF9N50CF ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 352+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.35 EUR |
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| 10000+ | 1.03 EUR |
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Technische Details FQPF9N50CF ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FQPF9N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FQPF9N50CF nach Preis ab 1.2 EUR bis 6.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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FQPF9N50CF | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF9N50CF | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
auf Bestellung 103280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF9N50CF | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF9N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.7 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 1796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQPF9N50CF | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FQPF9N50CF | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQPF9N50CF TFQPF9n50cf Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQPF9N50CF Produktcode: 94298
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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FQPF9N50CF | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF9N50CF | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
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FQPF9N50CF | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-CH/500V/9A/ QFET C-Series |
Produkt ist nicht verfügbar |