FZ1200R12HE4PHPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FZ1200R12HE4PHPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1825A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 1825 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 74 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FZ1200R12HE4PHPSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FZ1200R12HE4PHPSA1 Produktcode: 177335 |
 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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FZ1200R12HE4PHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IHM-B Module With Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode |
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FZ1200R12HE4PHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IHM-B Module With Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode |
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FZ1200R12HE4PHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 1825A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1825 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 74 nF @ 25 V |
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