GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
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Technische Details GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Supplier Device Package: TO-263-7, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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GA05JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
JFET 1200V 15A Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GA05JT12-263 |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 15A Standard
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