GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Power - Max: 583 W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Supplier Device Package: TO-247-3
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Technische Details GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV, Resistance - RDS(On): 20 mOhms, Power - Max: 583 W, Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV, Supplier Device Package: TO-247-3, Current Drain (Id) - Max: 100 A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V, FET Type: N-Channel, Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
JFET 1200V 100A Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GA50JT12-247 |
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