GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 5A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Bulk
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Technische Details GB05SLT12-220 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220-2, Current - Average Rectified (Io): 5A, Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote GB05SLT12-220
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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GB05SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GB05SLT12-220 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A SiC Schottky Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH