GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube, Technology: SiC, Case: TO247-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Semiconductor structure: single diode, Max. off-state voltage: 1.7kV, Features of semiconductor devices: MPS, Type of diode: Schottky rectifying, Max. forward voltage: 1.5V, Load current: 10A, Max. forward impulse current: 87A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide power schottky diode |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A SiC Power Schottky Diode |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.7kV Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.5V Load current: 10A Max. forward impulse current: 87A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2 |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Technology: SiC Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.7kV Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.5V Load current: 10A Max. forward impulse current: 87A |
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