GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GB10MPS17-247 GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 50A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 669pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 50A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1700 V.
Weitere Produktangebote GB10MPS17-247 nach Preis ab 13.98 EUR bis 13.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide power schottky diode |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A SiC Power Schottky Diode |
auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Max. forward voltage: 1.5V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 87A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Case: TO247-2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 50A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 669pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1700 V |
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GB10MPS17-247 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.7kV Max. forward voltage: 1.5V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 87A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Case: TO247-2 |
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