GBJ2010 JFDio


GBJ20005~GBJ2010.pdf
Produktcode: 178358
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Hersteller: JFDio
Gehäuse: GBJ
Sperrspannung Urev, V: 1000 В
Durchlassstrom Idir, A: 20 А
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Montage: THT
Impulsstrom, A: 350 A
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 25.07.2026
auf Bestellung: 41 St.
  • 41 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GBJ2010 GBJ2010 SMC Diode Solutions GBJ20005-GBJ2010%20N1795%20REV.A.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
15+2.08 EUR
105+1.5 EUR
510+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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GBJ2010 Yangjie Electronic Technology GBJ20005-GBJ2010%20N1795%20REV.A.pdf GBJ20005%7EGBJ2010.pdf Bridge Rectifier Diode
auf Bestellung 49500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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GBJ2010 GBJ20005-GBJ2010%20N1795%20REV.A.pdf
Hersteller: SMC Diode Solutions
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 530 Stücke:
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GBJ2010 GBJ20005-GBJ2010%20N1795%20REV.A.pdf GBJ20005%7EGBJ2010.pdf
Hersteller: Yangjie Electronic Technology
Bridge Rectifier Diode
auf Bestellung 49500 Stücke:
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KBU1010
Produktcode: 176821
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datasheetkbu1010.pdf
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBU
Sperrspannung Urev, V: 1000 В
Durchlassstrom Idir, A: 10 А
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: KBU10005, KBU1001, KBU1002, KBU1004, KBU1006, KBU1008, KBU10A, KBU10B, KBU10D, KBU10G, KBU10J, KBU10K, KBU10M
Montage: THT
Impulsstrom, A: 250 А
auf Bestellung: 2327 St.
  • 2327 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.45 EUR
10+0.4 EUR
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GBU1010 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42583
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GBU10_GBU15_GBU25.pdf
Hersteller: YJ/SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBU
Sperrspannung Urev, V: 1000 V
Durchlassstrom Idir, A: 10 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: GBU10005, GBU1001, GBU1002, GBU1004, GBU1006, GBU1008
Montage: THT
Impulsstrom, A: 250 А
UKTZED: 8541 10 00 10
auf Bestellung: 195 St.
  • 195 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.57 EUR
10+0.5 EUR
100+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
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KBU810 (Diodenbrücke)
Produktcode: 172120
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KBU810.pdf
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBU
Sperrspannung Urev, V: 1000 В
Durchlassstrom Idir, A: 8 А
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: KBU8005, KBU801, KBU802, KBU804, KBU806, KBU808, KBU8A, KBU8B, KBU8D, KBU8G, KBU8J, KBU8K, KBU8M, KBU6A, KBU6B, KBU6D, KBU6G, KBU6J, KBU6K, KBU6M, KBU6005, KBU601, KBU602, KBU604, KBU606, KBU608, KBU610, KBU4005, KBU401, KBU402, KBU404, KBU406, KBU408, RS
Montage: THT
Impulsstrom, A: 300 А
erwartet: 500 St.
  • 500 St. - erwartet 25.07.2026
auf Bestellung: 96 St.
  • 96 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.52 EUR
10+0.45 EUR
100+0.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBJ2510 Diodenbrücke
Produktcode: 177798
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Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBJ
Sperrspannung Urev, V: 1000 В
Durchlassstrom Idir, A: 25 А
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Montage: THT
Impulsstrom, A: 350 А
auf Bestellung: 213 St.
  • 213 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.75 EUR
10+0.67 EUR
100+0.6 EUR
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CRG40T60AN3H
Produktcode: 189198
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P020210520320339868480.pdf
Hersteller: CRMICRO
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,9 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 280 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 46,8/147,7
auf Bestellung: 251 St.
  • 251 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.74 EUR
10+2.55 EUR
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