GBL02 GeneSiC Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.37 EUR |
| 10+ | 7.83 EUR |
| 25+ | 7.33 EUR |
| 100+ | 6.58 EUR |
| 250+ | 6.14 EUR |
| 500+ | 5.81 EUR |
| 1000+ | 5.18 EUR |
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Technische Details GBL02 GeneSiC Semiconductor
Description: 4A, 200V, STANDARD BRIDGE RECTIF, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 4 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Weitere Produktangebote GBL02
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GBL02 | Vishay Semiconductor |
 Діодний міст вивідний, Uзвор, В = 200, Ir = 10 мкА, If, A = 4, Uf, В = 1, Тексп, °С = -55...+150, Тип мосту = однофазний,... Діоди Корпус: GBL Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 20 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
GBL02 | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 4A, 200V, STANDARD BRIDGE RECTIF Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
GBL02 | Taiwan Semiconductor |
Bridge Rectifiers 4A, 200V, Standard Bridge Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GBL02 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GBL02 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductor
Діодний міст вивідний, Uзвор, В = 200, Ir = 10 мкА, If, A = 4, Uf, В = 1, Тексп, °С = -55...+150, Тип мосту = однофазний,... Діоди Корпус: GBL Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Діодний міст вивідний, Uзвор, В = 200, Ir = 10 мкА, If, A = 4, Uf, В = 1, Тексп, °С = -55...+150, Тип мосту = однофазний,... Діоди Корпус: GBL Од. вим: шт
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| GBL02 |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 4A, 200V, STANDARD BRIDGE RECTIF
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: 4A, 200V, STANDARD BRIDGE RECTIF
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
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| GBL02 |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Bridge Rectifiers 4A, 200V, Standard Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 4A, 200V, Standard Bridge Rectifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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| GBL02 |
|
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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