GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 33nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote GC08MPS12-220
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GC08MPS12-220 | Hersteller : GENESIC |
 Description: GENESIC - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 33nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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GC08MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
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GC08MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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| GC08MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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GC08MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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| GC08MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC08MPS12-220 THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GC08MPS12-220 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 43A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V |
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