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GC2X8MPS12-247

GC2X8MPS12-247 GENESIC


GCSR-S-A0017462380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: GENESIC
Description: GENESIC - GC2X8MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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Technische Details GC2X8MPS12-247 GENESIC

Description: GENESIC - GC2X8MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 66nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MPS, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 Hersteller : GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12_247-2449307.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
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GC2X8MPS12-247 Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X8MPS12-247.pdf GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
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GC2X8MPS12-247 Hersteller : GeneSiC Semiconductor gc2x8mps12-247.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 Hersteller : GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
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