GD10MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: tube
Max. load current: 33A
Features of semiconductor devices: MPS
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| Anzahl | Preis |
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| 18+ | 4.00 EUR |
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Technische Details GD10MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 32nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote GD10MPS12A nach Preis ab 3.85 EUR bis 6.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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GD10MPS12A | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.9V Max. forward impulse current: 64A Kind of package: tube Max. load current: 33A Features of semiconductor devices: MPS |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD10MPS12A | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD10MPS12A | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD10MPS12A | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD10MPS12A | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD10MPS12A | Hersteller : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GD10MPS12A | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GD10MPS12A | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GD10MPS12A | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
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