GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.13 EUR |
| 10+ | 6.02 EUR |
| 30+ | 5.51 EUR |
| 120+ | 5.28 EUR |
| 270+ | 5.14 EUR |
| 510+ | 5.03 EUR |
| 1020+ | 4.86 EUR |
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Technische Details GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 10A, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote GD10MPS12H nach Preis ab 5.71 EUR bis 7.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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GD10MPS12H | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247-2 Current - Average Rectified (Io): 10A Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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