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GD150HFY120C1S

Produktcode: 204060
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GD150HFY120C1S GD150HFY120C1S Hersteller : STARPOWER 2718502.pdf Description: STARPOWER - GD150HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 746W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 746W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 230A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 18 Stücke:
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