GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 56A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.
Weitere Produktangebote GD25MPS17H nach Preis ab 25.3 EUR bis 41.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
 SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD25MPS17H | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V |
auf Bestellung 1152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD25MPS17H |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 32.42 EUR |
| 10+ | 29.27 EUR |
| 30+ | 28.11 EUR |
| 120+ | 26.43 EUR |
| 270+ | 25.38 EUR |
| 510+ | 25.3 EUR |
| GD25MPS17H |
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Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Description: DIODE SIL CARB 1700V 56A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1083pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 41.47 EUR |
| 10+ | 33.24 EUR |
| 30+ | 30.82 EUR |
| 120+ | 28.67 EUR |
| 270+ | 27.75 EUR |
| 510+ | 27.16 EUR |
| GD25MPS17H |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
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