GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
Max. load current: 60A
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 25.43 EUR |
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Technische Details GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-227, Kapazitive Gesamtladung: 46nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote GD2X30MPS06N nach Preis ab 25.3 EUR bis 40.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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GD2X30MPS06N | Hersteller : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: double independent Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A x2 Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: MPS Technology: SiC Reverse recovery time: 10ns Kind of package: tube Max. load current: 60A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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GD2X30MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
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GD2X30MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
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GD2X30MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
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GD2X30MPS06N | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 46nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| GD2X30MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
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| GD2X30MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
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GD2X30MPS06N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
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