GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote GD2X30MPS12D nach Preis ab 24.29 EUR bis 36.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GD2X30MPS12D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| GD2X30MPS12D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 7+ | 26.56 EUR |
| GD2X30MPS12D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 34.77 EUR |
| 10+ | 31.73 EUR |
| 25+ | 30.61 EUR |
| 100+ | 28.95 EUR |
| 250+ | 27.93 EUR |
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| GD2X30MPS12D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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|---|---|
| 1+ | 36.96 EUR |
| 10+ | 34.91 EUR |
| 30+ | 27.39 EUR |
| 120+ | 26.39 EUR |