GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor
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Technische Details GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC), Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote GD2X30MPS12D nach Preis ab 23.74 EUR bis 36.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3 Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
auf Bestellung 589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GD2X30MPS12D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
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| 30+ | 23.74 EUR |
| GD2X30MPS12D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 7+ | 25.95 EUR |
| GD2X30MPS12D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 34.77 EUR |
| 10+ | 31.73 EUR |
| 25+ | 30.61 EUR |
| 100+ | 28.95 EUR |
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| GD2X30MPS12D |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
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|---|---|
| 1+ | 36.87 EUR |
| 10+ | 34.91 EUR |
| 30+ | 27.06 EUR |
| 120+ | 26.39 EUR |