GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 30+ | 19.72 EUR |
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Technische Details GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote GD2X30MPS12D nach Preis ab 19.72 EUR bis 29.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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GD2X30MPS12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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GD2X30MPS12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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GD2X30MPS12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
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GD2X30MPS12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
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| GD2X30MPS12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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GD2X30MPS12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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