GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 1200V 2X30A TO-24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 59 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 2X30A TO-24, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote GD2X30MPS12D nach Preis ab 32.47 EUR bis 41.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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GD2X30MPS12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
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| GD2X30MPS12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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GD2X30MPS12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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GD2X30MPS12D | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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