GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 51.27 EUR |
| 10+ | 45.51 EUR |
| 100+ | 42.15 EUR |
| 250+ | 42.08 EUR |
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Technische Details GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 52A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V.
Weitere Produktangebote GD2X30MPS12N nach Preis ab 39.97 EUR bis 63.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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GD2X30MPS12N | Hersteller : Navitas Semiconductor, Inc. |
 Description: DIODE MOD SIC 1200V 52A SOT-227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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