GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 51.3 EUR |
| 10+ | 47.1 EUR |
| 30+ | 45.53 EUR |
| 100+ | 43.26 EUR |
| 250+ | 42.08 EUR |
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Technische Details GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-227, Kapazitive Gesamtladung: 97nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote GD2X30MPS12N nach Preis ab 52.65 EUR bis 61.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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GD2X30MPS12N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Description: 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M |
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GD2X30MPS12N | Hersteller : GENESIC |
Description: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 97nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| GD2X30MPS12N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
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| GD2X30MPS12N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
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| GD2X30MPS12N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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