GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 76A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 76A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote GD2X50MPS12N nach Preis ab 46.75 EUR bis 70 EUR
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GD2X50MPS12N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
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GD2X50MPS12N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 76A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 76A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V |
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| GD2X50MPS12N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS |
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GD2X50MPS12N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
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GD2X50MPS12N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
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GD2X50MPS12N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A Automotive 4-Pin SOT-227 |
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GD2X50MPS12N | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS |
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