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GT40QR21(STA1,E,D

GT40QR21(STA1,E,D TOSHIBA


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92A908EA940BE0D3&compId=GT40QR21.pdf?ci_sign=57cbfd5d6f446f8bf4ab116348eb16851092c8ef Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 0.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO3PN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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23+3.15 EUR
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Technische Details GT40QR21(STA1,E,D TOSHIBA

Description: IGBT 1200V 40A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 600 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Switching Energy: -, 290µJ (off), Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 230 W.

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GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92A908EA940BE0D3&compId=GT40QR21.pdf?ci_sign=57cbfd5d6f446f8bf4ab116348eb16851092c8ef Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 35A; 230W; TO3PN
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 0.3µs
Turn-off time: 0.6µs
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 230W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO3PN
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GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Hersteller : Toshiba 342gt40qr21_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
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GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Hersteller : Toshiba GT40QR21_datasheet_en_20140107-1649904.pdf IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) MQO=25 V=1200 IC=40A
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GT40QR21(STA1,E,D GT40QR21(STA1,E,D Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=9834&prodName=GT40QR21 Description: IGBT 1200V 40A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 600 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Switching Energy: -, 290µJ (off)
Test Condition: 280V, 40A, 10Ohm, 20V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 230 W
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GT40QR21(STA1,E,D) Hersteller : TOSHIBA
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GT40QR21
Produktcode: 168454
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GT40QR21 Hersteller : Toshiba IGBTs
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