Produkte > Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule > GT50J325 TOSHIBA

GT50J325 TOSHIBA

Produktcode: 105146
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: TOSHIBA
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote GT50J325

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GT50J325 Toshiba IGBT Single Transistor, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50J325 Toshiba IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50J325 GT50J325 TOSHIBA 58133.pdf Description: TOSHIBA - GT50J325 - IGBT, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45
MSL: -
DC-Kollektorstrom: 50
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 240
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50J325
Hersteller: Toshiba
IGBT Single Transistor, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50J325
Hersteller: Toshiba
IGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GT50J325 58133.pdf
GT50J325
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT50J325 - IGBT, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45
MSL: -
DC-Kollektorstrom: 50
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 240
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH