HGT1S10N120BNST onsemi / Fairchild
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Technische Details HGT1S10N120BNST onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V, Verlustleistung Pd: 298W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 35A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote HGT1S10N120BNST nach Preis ab 3.75 EUR bis 3.75 EUR
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HGT1S10N120BNST | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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HGT1S10N120BNST | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V Verlustleistung Pd: 298W euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 35A Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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| HGT1S10N120BNST | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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HGT1S10N120BNST Produktcode: 104642
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule ZCODE: 8541290010 |
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HGT1S10N120BNST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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HGT1S10N120BNST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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HGT1S10N120BNST | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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HGT1S10N120BNST | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
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HGT1S10N120BNST | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
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HGT1S10N120BNS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
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HGT1S10N120BNS | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
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HGT1S10N120BNS | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 35A 1200V NPT N-Ch |
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