HGT1S10N120BNST

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HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST onsemi hgtp10n120bn-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.78 EUR
10+5.17 EUR
100+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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HGT1S10N120BNST HGT1S10N120BNST onsemi / Fairchild HGTP10N120BN-D.pdf IGBTs N-Channel IGBT NPT Series 1200V
auf Bestellung 19460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.88 EUR
10+5.24 EUR
100+3.75 EUR
800+3.73 EUR
4800+3.52 EUR
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HGT1S10N120BNST
Hersteller: onsemi
Description: IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
auf Bestellung 121 Stücke:
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Anzahl Preis
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10+5.17 EUR
100+3.7 EUR
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HGT1S10N120BNST
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs N-Channel IGBT NPT Series 1200V
auf Bestellung 19460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.88 EUR
10+5.24 EUR
100+3.75 EUR
800+3.73 EUR
4800+3.52 EUR
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