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HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D ON Semiconductor

hgtg30n60c3d-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details HGTG30N60C3D ON Semiconductor

Description: IGBT 600V 63A TO-247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off), Gate Charge: 162 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 63 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A, Power - Max: 208 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D ON Semiconductor hgtg30n60c3d-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D Fairchild Semiconductor FAIRS30031-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 63A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
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Power - Max: 208 W
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