HGTG30N60C3D ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 22+ | 6.87 EUR |
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Technische Details HGTG30N60C3D ON Semiconductor
Description: IGBT 600V 63A TO-247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off), Gate Charge: 162 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 63 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A, Power - Max: 208 W.
Weitere Produktangebote HGTG30N60C3D nach Preis ab 6.87 EUR bis 11.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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HGTG30N60C3D | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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HGTG30N60C3D | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: IGBT 600V 63A TO-247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) Gate Charge: 162 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A Power - Max: 208 W |
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| HGTG30N60C3D | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
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| HGTG30N60C3D | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
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| HGTG30N60C3D | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
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HGTG30N60C3D | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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HGTG30N60C3D | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 600V 63A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) Gate Charge: 162 nC Current - Collector (Ic) (Max): 63 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A Power - Max: 208 W |
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HGTG30N60C3D | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para |
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