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HGTP20N60A4

HGTP20N60A4 Fairchild

hgtp20n60a4-1010384.pdf
Produktcode: 61820
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
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Technische Details HGTP20N60A4 Fairchild

  • IGBT, N, TO-220
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:70A
  • Max Voltage Vce Sat:2.7V
  • Power Dissipation:290W
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current Temperature:25`C
  • Fall Time Tf:32ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Power Dissipation Ptot:290W
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:GCE
  • Power Dissipation Pd:290W
  • Pulsed Current Icm:280A
  • Rise Time:12ns
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HGTP20N60A4 HGTP20N60A4 Hersteller : ON Semiconductor 46hgtg20n60a4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HGTP20N60A4 HGTP20N60A4 Hersteller : ON Semiconductor 46hgtg20n60a4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HGTP20N60A4 Hersteller : Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
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HGTP20N60A4 HGTP20N60A4 Hersteller : ON Semiconductor 46hgtg20n60a4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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HGTP20N60A4 HGTP20N60A4 Hersteller : onsemi HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf Description: IGBT 600V 70A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W
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HGTP20N60A4 HGTP20N60A4 Hersteller : onsemi / Fairchild HGTG20N60A4_D-1810128.pdf IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
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BZV55-C6V2
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BZV55-C6V2
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 6,2
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 2.3mV/K
№ 6: 8541100090
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100+0.03 EUR
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
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Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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NIPPEL TO-220 Isolierhülse für TO220, 6,1 mm, max. 130 °C
Produktcode: 26109
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nippel.pdf
NIPPEL TO-220 Isolierhülse für TO220, 6,1 mm, max. 130 °C
Isoliermaterialien
Gruppe: Dichtungen, Schichtunterlage, Isolierhulse
Beschreibung: Isolierhulse fur TO-220
Größe: fuer Gehause TO-220
Матеріал: Пластик
білий
verfügbar: 22825 Stück
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22371 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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rc_series_20150401_1.pdf
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Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
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438 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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