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HGTP20N60A4

HGTP20N60A4 Fairchild

hgtp20n60a4-1010384.pdf
Produktcode: 61820
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
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Technische Details HGTP20N60A4 Fairchild

  • IGBT, N, TO-220
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N
  • Voltage Vces:600V
  • Max Current Ic Continuous a:70A
  • Max Voltage Vce Sat:2.7V
  • Power Dissipation:290W
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V
  • Current Temperature:25`C
  • Fall Time Tf:32ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Power Dissipation Ptot:290W
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:GCE
  • Power Dissipation Pd:290W
  • Pulsed Current Icm:280A
  • Rise Time:12ns
  • SVHC (Additional):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP)

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
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Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W
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HGTP20N60A4 HGTP20N60A4 Hersteller : onsemi / Fairchild HGTG20N60A4_D-2314625.pdf IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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