HGTP3N60A4D
Produktcode: 104968
Hersteller: ZCODE: 8541290010
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Weitere Produktangebote HGTP3N60A4D
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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HGTP3N60A4D | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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HGTP3N60A4D | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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HGTP3N60A4D | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: IGBT 600V 17A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 29 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 70 W |
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HGTP3N60A4D | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 600V 17A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 29 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 21 nC Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 70 W |
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HGTP3N60A4D | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series |
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