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HST9-B170

HST9-B170 Broadcom / Avago

HST9_B170_DS103.pdf
Hersteller: Broadcom / Avago
Phototransistors Chip,Top Mt,PT,940nm
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Technische Details HST9-B170 Broadcom / Avago

Description: CHIP,TOP MT,PT,940NM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0805 (2012 Metric), Wavelength: 940nm, Mounting Type: Surface Mount, Orientation: Top View, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C, Viewing Angle: 140°, Current - Dark (Id) (Max): 100 nA, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 100 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HST9-B170 HST9-B170 Broadcom Limited HST9-B170-Top-View-Surface-Mount-Phototransistor-DS Description: CHIP,TOP MT,PT,940NM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Surface Mount
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Viewing Angle: 140°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 100 mW
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HST9-B170 HST9-B170-Top-View-Surface-Mount-Phototransistor-DS
HST9-B170
Hersteller: Broadcom Limited
Description: CHIP,TOP MT,PT,940NM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Surface Mount
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Viewing Angle: 140°
Current - Dark (Id) (Max): 100 nA
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
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