HUF75542P3 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 71+ | 2.08 EUR |
| 74+ | 1.83 EUR |
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| 250+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
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Technische Details HUF75542P3 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote HUF75542P3 nach Preis ab 1.31 EUR bis 5.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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HUF75542P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75542P3 | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HUF75542P3 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 75a 80V N-Ch UltraFET 0.014 Ohm |
auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HUF75542P3 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V |
auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HUF75542P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75542P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HUF75542P3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75542P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HUF75542P3 Produktcode: 174091
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HUF75542P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75542P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75542P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75542P3 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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HUF75542P3 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75542P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 230 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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| HUF75542P3 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 75A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of channel: enhancement |
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