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IAUA200N04S5N010AUMA1 Transistor

Produktcode: 215193
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IAUA200N04S5N010AUMA1 IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies infineon-iaua200n04s5n010-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IAUA200N04S5N010AUMA1 IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies infineoniaua200n04s5n010datasheetv0140en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin(5+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 481913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.95 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.37 EUR
10000+2.07 EUR
100000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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auf Bestellung 53837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+2.95 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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auf Bestellung 14503 Stücke:
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221+2.95 EUR
500+2.62 EUR
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Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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auf Bestellung 5516 Stücke:
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49+3.58 EUR
62+2.73 EUR
100+2.06 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.62 EUR
2000+1.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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auf Bestellung 5516 Stücke:
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49+3.58 EUR
62+2.78 EUR
100+2.14 EUR
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auf Bestellung 1065 Stücke:
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34+5.12 EUR
49+3.51 EUR
100+2.45 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2289 Stücke:
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4+6.31 EUR
10+4.09 EUR
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auf Bestellung 2464 Stücke:
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500+2.48 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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100+2.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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100+2.84 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 2464 Stücke:
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10+3.89 EUR
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1000+2.23 EUR
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