IAUCN04S7L019ATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 211+ | 0.69 EUR |
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| 225+ | 0.6 EUR |
| 250+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
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Technische Details IAUCN04S7L019ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IAUCN04S7L019ATMA1 nach Preis ab 0.44 EUR bis 0.8 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IAUCN04S7L019ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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IAUCN04S7L019ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IAUCN04S7L019ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IAUCN04S7L019ATMA1 Produktcode: 213823
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IAUCN04S7L019ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
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IAUCN04S7L019ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
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