Weitere Produktangebote IAUCN04S7L019ATMA1 nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IAUCN04S7L019ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1811 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUCN04S7L019ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1811 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUCN04S7L019ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IAUCN04S7L019ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IAUCN04S7L019ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 211+ | 0.83 EUR |
| 219+ | 0.79 EUR |
| 225+ | 0.75 EUR |
| 250+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| IAUCN04S7L019ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 144A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 181+ | 0.96 EUR |
| 211+ | 0.8 EUR |
| 219+ | 0.74 EUR |
| 225+ | 0.69 EUR |
| 250+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| IAUCN04S7L019ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 117+ | 2.14 EUR |
| 163+ | 1.43 EUR |
| 182+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| IAUCN04S7L019ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IAUCN04S7L019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00192 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00192ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 117+ | 2.14 EUR |
| 163+ | 1.43 EUR |
| 182+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
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| DB-15M D-SUB Stifte für Kabel (KLS1-213-15-M-L KLS) Produktcode: 72277
3
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Interface (außer USB, SATA)
Funktionsbeschreibung: D-SUB Stifte für Kabel 2-reihig, 15 Kontakte
Stecker oder Buchse: Stecker
Anzahl Kontakte: 15
Serie: DB
Mechanische Montage: Für Draht
Räumliche Ausrichtung: Gerade
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Interface (außer USB, SATA)
Funktionsbeschreibung: D-SUB Stifte für Kabel 2-reihig, 15 Kontakte
Stecker oder Buchse: Stecker
Anzahl Kontakte: 15
Serie: DB
Mechanische Montage: Für Draht
Räumliche Ausrichtung: Gerade
verfügbar: 13 St.
- 13 St. - stock Köln
erwartet: 3000 St.
- 3000 St. - erwartet
auf Bestellung: 214 St.
- 214 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.46 EUR |
| 10+ | 0.43 EUR |
| 100+ | 0.38 EUR |
| 1,5 MOhm 5% 1W 2512 (RC2512JK-1M5-Hitano) (SMD-Widerstand) Produktcode: 51252
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 1,5 MOhm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 1,5 MOhm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
auf Bestellung: 1200 St.
- 1200 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.058 EUR |
| 100+ | 0.051 EUR |
| 1000+ | 0.039 EUR |
| 1 MOhm 5% 1W 2512 (RC2512JK-1MR-Hitano) (SMD-Widerstand) Produktcode: 51251
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 1 MOhm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Nennwiderstand: 1 MOhm
Toleranz: ±5%
P Nenn., W: 1 W
U Betrieb, V: 200 V (max. 500 V bei Überlast)
Bauform: 2512
auf Bestellung: 2600 St.
- 2600 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.058 EUR |
| 100+ | 0.051 EUR |
| 1000+ | 0.039 EUR |
| IRFZ44NPBF Produktcode: 35403
7
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
- 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1458 St.
- 1458 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| 100+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| Kern KS-157125A (KS157125; DS400125) Produktcode: 23289
3
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: DMEGC
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: KS
Typ: Ring
Baugröße: 39,9/24,1/14,5
Beschreibung: Al=168nH, Ae=1.15cm2, V=11.51cm3
Material: Alsifer (Sendust)
Permeabilität, µi: 125 µi
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern
Serie: KS
Typ: Ring
Baugröße: 39,9/24,1/14,5
Beschreibung: Al=168nH, Ae=1.15cm2, V=11.51cm3
Material: Alsifer (Sendust)
Permeabilität, µi: 125 µi
auf Bestellung: 20 St.
- 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.85 EUR |
| 10+ | 5.24 EUR |








