IAUS165N08S5N029 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 6 EUR |
| 30+ | 5.65 EUR |
| 50+ | 5.32 EUR |
| 100+ | 5.02 EUR |
| 250+ | 4.8 EUR |
| 500+ | 4.59 EUR |
| 1000+ | 4.38 EUR |
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Technische Details IAUS165N08S5N029 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 5, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 165A, Pulsed drain current: 660A, Power dissipation: 167W, Case: PG-HSOG-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 31nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IAUS165N08S5N029
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IAUS165N08S5N029 | Infineon Technologies |
 MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IAUS165N08S5N029ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 165A Pulsed drain current: 660A Power dissipation: 167W Case: PG-HSOG-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IAUS165N08S5N029 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
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| IAUS165N08S5N029ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
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