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IDH04G65C6

IDH04G65C6 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IDH04G65C6 Infineon Technologies

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Case: PG-TO220-2, Max. forward voltage: 1.4V, Max. forward impulse current: 23A, Leakage current: 31µA, Power dissipation: 45W, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.17...1.37mm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDH04G65C6 Infineon Technologies Infineon SIC DIODES
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IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH04G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
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IDH04G65C6
Hersteller: Infineon Technologies
Infineon SIC DIODES
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IDH04G65C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
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