IDH04G65C6 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 3.75 EUR |
| 50+ | 3.56 EUR |
| 100+ | 3.36 EUR |
| 250+ | 3.19 EUR |
| 500+ | 3.05 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
48 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IDH04G65C6 Infineon Technologies
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Case: PG-TO220-2, Max. forward voltage: 1.4V, Max. forward impulse current: 23A, Leakage current: 31µA, Power dissipation: 45W, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.17...1.37mm.
Weitere Produktangebote IDH04G65C6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IDH04G65C6 | Infineon Technologies |
 SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
IDH04G65C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 23A Leakage current: 31µA Power dissipation: 45W Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.17...1.37mm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IDH04G65C6 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IDH04G65C6XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH