IGB10N60T


Produktcode: 167667
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.38 EUR
57+1.52 EUR
100+1.04 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IGB10N60T IGB10N60T Infineon Technologies Infineon_IGB10N60T_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.86 EUR
10+2.43 EUR
100+1.59 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.21 EUR
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
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