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IGB110S10S1XTMA1 Infineon Technologies

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigb110s10s1datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin TSON EP T/R
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IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigb110s10s1datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin TSON EP T/R
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Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
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IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igb110s10s1-datasheet-en.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
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IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGB110S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e49d6f71 Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 23A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin TSON EP T/R
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
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Description: GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
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IGB110S10S1XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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