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IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies

Produktcode: 222741
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 INFINEON 4018759.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
auf Bestellung 2158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 3454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.38 EUR
87+1.99 EUR
99+1.71 EUR
103+1.59 EUR
250+1.56 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.3 EUR
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
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87+1.95 EUR
99+1.64 EUR
103+1.51 EUR
250+1.44 EUR
500+1.24 EUR
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3000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 4645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.53 EUR
56+3.07 EUR
73+2.31 EUR
100+2.08 EUR
500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 4645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.53 EUR
56+3 EUR
73+2.23 EUR
100+1.98 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE004NE1LM7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae4c2139e478e Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.11 EUR
10+3.3 EUR
50+2.51 EUR
100+2.26 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 INFINEON 4018759.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
auf Bestellung 2158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.02 EUR
65+3.62 EUR
100+2.33 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE004NE1LM7_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 4423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.22 EUR
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IQE004NE1LM7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
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IQE004NE1LM7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
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AnzahlPrivatkunde
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AnzahlPrivatkunde
74+2.38 EUR
87+1.99 EUR
99+1.71 EUR
103+1.59 EUR
250+1.56 EUR
500+1.38 EUR
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Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
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74+2.38 EUR
87+1.95 EUR
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103+1.51 EUR
250+1.44 EUR
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56+3.07 EUR
73+2.31 EUR
100+2.08 EUR
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Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
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Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
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AnzahlPrivatkunde
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10+3.3 EUR
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IQE004NE1LM7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
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42+6.02 EUR
65+3.62 EUR
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MOSFETs IFX FET 15V-30V
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