IGB30N60H3


Produktcode: 114099
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.61 EUR
30+2.88 EUR
34+2.53 EUR
41+2.11 EUR
50+1.87 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IGB30N60H3 IGB30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.51 EUR
10+4.24 EUR
100+2.92 EUR
500+2.23 EUR
1000+1.95 EUR
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IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+3.61 EUR
30+2.88 EUR
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IGB30N60H3 Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
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500+2.23 EUR
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