IGP30N60H3 Infineon
Produktcode: 113378
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,95 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 60 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 30 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 187 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 18/207
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IGP30N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3 Type of transistor: IGBT Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 187W Technology: TRENCHSTOP™ 5 |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IGP30N60H3XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
Technology: TRENCHSTOP™ 5
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)