IGW15N120H3FKSA1
Produktcode: 189073
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IGW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW15N120H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Kind of package: tube Collector current: 30A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 217W |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns Switching Energy: 1.55mJ Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 217 W |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon |
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGW15N120H3FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IGW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IGW15N120H3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
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