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IGW15T120FKSA1

IGW15T120FKSA1 Infineon Technologies

igw15t120_rev2_4.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IGW15T120FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1200V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns, Switching Energy: 2.7mJ, Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V, Gate Charge: 85 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 110 W.

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IGW15T120FKSA1 IGW15T120FKSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS14050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IGW15T120FKSA1 - IGW15T120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSI
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Produktcode: 182831
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 2.7mJ
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
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