IGW30N60H3 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V HI SPEED SW IGBT
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Technische Details IGW30N60H3 Infineon Technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 30A, Power dissipation: 187W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of package: tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
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IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
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