| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.46 EUR |
| 10+ | 5.09 EUR |
| 100+ | 4.02 EUR |
| 480+ | 3.37 EUR |
| 1200+ | 3.03 EUR |
| 2640+ | 2.93 EUR |
| 5040+ | 2.92 EUR |
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Technische Details IGW30N60H3 Infineon Technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 30A, Power dissipation: 187W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of package: tube.
Weitere Produktangebote IGW30N60H3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IGW30N60H3 | Infineon |
 IGBT 600V 30A 187W TO247-3 Транзистори |
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IGW30N60H3 | Infineon Technologies |
Description: IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT |
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 |
IGW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
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| IGW30N60H3 |
|
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 30A 187W TO247-3 Транзистори
IGBT 600V 30A 187W TO247-3 Транзистори
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| IGW30N60H3 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Description: IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
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| IGW30N60H3FKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
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