IGW40N65H5FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGW40N65H5FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IGW40N65H5FKSA1 nach Preis ab 2.61 EUR bis 7.53 EUR
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IGW40N65H5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW40N65H5FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IGW40N65H5FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 |
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IGW40N65H5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW40N65H5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W |
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IGW40N65H5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
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IGW40N65H5FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IGW40N65H5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW40N65H5FKSA1 Produktcode: 178084
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IGW40N65H5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW40N65H5FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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