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IGW40N65H5FKSA1

IGW40N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IGW40N65H5FKSA1.pdf Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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Technische Details IGW40N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT 650V 74A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns, Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 255 W.

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IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N65H5FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
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IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6 Description: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
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IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IGP40N65H5_IGW40N65H5_DS_v02_01_EN-1731483.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
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100+ 6.03 EUR
240+ 5.67 EUR
480+ 4.55 EUR
1200+ 4.29 EUR
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IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0001300424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 255
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-igp40n65h5_igw40n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-igp40n65h5_igw40n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGW40N65H5FKSA1
Produktcode: 178084 		DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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