IGW50N60H3 Infineon
Produktcode: 107816
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-247-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,85 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 100 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 333 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 23/235
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IGW50N60H3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IGW50N60H3 | Infineon Technologies |
Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT |
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IGW50N60H3 | Infineon Technologies |
IGBTs 600V 50A 333W |
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IGW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Pulsed collector current: 200A |
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| IGW50N60H3 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
Description: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
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| IGW50N60H3 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600V 50A 333W
IGBTs 600V 50A 333W
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| IGW50N60H3FKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
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