IGW50N60H3 Infineon
Produktcode: 107816
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-247-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,85 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 100 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 333 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 23/235
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Weitere Produktangebote IGW50N60H3 nach Preis ab 3.3 EUR bis 4.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IGW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Pulsed collector current: 200A Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGW50N60H3FKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 4.28 EUR |
| 22+ | 3.92 EUR |
| 24+ | 3.69 EUR |
| 30+ | 3.3 EUR |


