IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns, Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Weitere Produktangebote IGW75N65H5XKSA1 nach Preis ab 4.49 EUR bis 10.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
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IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
auf Bestellung 341 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW75N65H5XKSA1 - IGBT, 120 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 395W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
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IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGW75N65H5XKSA1 Produktcode: 174179 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IGW75N65H5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns |
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