IHW20N135R3 Infineon Technologies
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Technische Details IHW20N135R3 Infineon Technologies
Description: REVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/335ns, Switching Energy: -, 1.3mJ (off), Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 195 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 310 W.
Weitere Produktangebote IHW20N135R3 nach Preis ab 8.57 EUR bis 8.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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| IHW20N135R3 | Hersteller : Infineon |
 40A; 1350V; 310W; IGBT w/ Diode IHW20N135R3 TIHW20n135r3Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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IHW20N135R3 Produktcode: 133097 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IHW20N135R3 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: REVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/335ns Switching Energy: -, 1.3mJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 195 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 310 W |
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