IHW20N65R5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IHW20N65R5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IHW20N65R5XKSA1 nach Preis ab 2.25 EUR bis 5.10 EUR
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 97 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 150 W |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IHW20N65R5XKSA1 Produktcode: 182097
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 75W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 97nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-off time: 257ns Anzahl je Verpackung: 240 Stücke |
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| IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs Y |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 75W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 97nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-off time: 257ns |
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