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IHW20N65R5XKSA1

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Produktcode: 182097
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw20n65r5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 65 Stücke:
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59+2.99 EUR
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IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw20n65r5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 28394 Stücke:
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212+3.08 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.48 EUR
10000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw20n65r5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
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IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw20n65r5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 801 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 212 Stücke
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IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 INFINEON 2354578.pdf Description: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.82 EUR
71+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 Infineon Technologies DS_IHW20N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae1140b900d8 Description: IGBT 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
30+3.33 EUR
120+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw20n65r5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW20N65R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW20N65R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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212+3.08 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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IHW20N65R5XKSA1 2354578.pdf
IHW20N65R5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IHW20N65R5XKSA1 DS_IHW20N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae1140b900d8
IHW20N65R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
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IHW20N65R5XKSA1 infineon-ihw20n65r5-datasheet-v02_03-en.pdf
IHW20N65R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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