IHW20N65R5XKSA1
Produktcode: 182097
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Weitere Produktangebote IHW20N65R5XKSA1 nach Preis ab 1.69 EUR bis 5.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 28394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 97 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 150 W |
auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs Y |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IHW20N65R5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 75W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 97nC Turn-off time: 257ns |
Produkt ist nicht verfügbar |