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IHW30N160R5XKSA1

Infineon-IHW30N160R5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167ac8d680e1923
Produktcode: 180199
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FA46CB7F2218BF&compId=IHW30N160R5.pdf?ci_sign=f142f1feb3d530f98974a0719171f909d530cf4d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 267 Stücke:
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Anzahl Preis
12+6.06 EUR
18+4.13 EUR
19+3.9 EUR
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Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
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Case: TO247-3
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Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
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Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IHW30N160R5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167ac8d680e1923 Description: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/290ns
Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
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3+6.83 EUR
30+3.79 EUR
120+3.12 EUR
510+2.63 EUR
1020+2.45 EUR
2010+2.42 EUR
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IHW30N160R5_DataSheet_v01_01_EN-3361673.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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240+2.71 EUR
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0014934680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ihw30n160r5-datasheet-v01_01-en.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
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Mindestbestellmenge: 10
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