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IHW30N160R5XKSA1

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Produktcode: 180199
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N160R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 411ns
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.13 EUR
25+3.45 EUR
30+3.21 EUR
120+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.91 EUR
34+5.03 EUR
51+3.05 EUR
100+2.89 EUR
480+2.75 EUR
720+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.96 EUR
34+5.19 EUR
51+3.24 EUR
100+3.17 EUR
480+3.08 EUR
720+3 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.46 EUR
33+5.14 EUR
51+3.18 EUR
52+3.02 EUR
100+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.57 EUR
33+5.32 EUR
51+3.22 EUR
100+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw30n160r5-datasheet-en.pdf Description: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/290ns
Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
auf Bestellung 5599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.45 EUR
30+5.27 EUR
120+4.36 EUR
510+3.68 EUR
1020+3.43 EUR
2010+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW30N160R5_DataSheet_v01_01_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES
auf Bestellung 7003 Stücke:
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10+6.45 EUR
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon TIHW30n160r5_0001.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+11.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon TIHW30n160r5_0001.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IHW30N160R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 411ns
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW30N160R5XKSA1 infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW30N160R5XKSA1
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Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW30N160R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
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Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
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IHW30N160R5XKSA1 Infineon_IHW30N160R5_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
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IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5_0001.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Hersteller: Infineon
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
10+11.66 EUR
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IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5_0001.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Hersteller: Infineon
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5
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Sicherung 5x20mm 10А 250VAC keramisch mit Anschlüssen 50CT(P)-100H Hollyland
Produktcode: 195708
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50CT-hollyland-datasheet.pdf
Sicherung 5x20mm 10А 250VAC keramisch mit Anschlüssen 50CT(P)-100H Hollyland
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung Schmelz mit axialen Anschlüssen keramisch 10A 250V 5x20mm.
Nennstrom: 10 A
Größe: 5x20 mm; dAnschl.. = 0.65 mm
Bauform: Mit Anschlüssen
Gehäusematerial: Keramik
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Träge
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+0.36 EUR
10+0.31 EUR
100+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW40N120T2
Produktcode: 150870
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GBU2510 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42585
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GBU10_GBU15_GBU25.pdf
GBU2510 (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ/SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBU
Sperrspannung Urev, V: 1000 V
Durchlassstrom Idir, A: 25 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: GBU25005, GBU2501, GBU2502, GBU2504, GBU2506, GBU2508, GBU15005, GBU1501, GBU1502, GBU1504, GBU1506, GBU1508, GBU1510, GBU10005, GBU1001, GBU1002, GBU1004, GBU1006, GBU1008, GBU1010
Montage: THT
Impulsstrom, A: 350 А
UKTZED: 8541 10 00 10
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
erwartet: 500 St.
  • 500 St. - erwartet 25.07.2026
auf Bestellung: 126 St.
  • 126 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.71 EUR
100+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
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