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IHW30N160R5XKSA1

IHW30N160R5XKSA1 Infineon

TIHW30n160r5_0001.pdf
Hersteller: Infineon
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5
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Technische Details IHW30N160R5XKSA1 Infineon

Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, MSL: -, Verlustleistung: 263W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 60A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Weitere Produktangebote IHW30N160R5XKSA1 nach Preis ab 2.53 EUR bis 13.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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36+4.84 EUR
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2381 Stücke:
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22+8.23 EUR
32+5.37 EUR
49+3.46 EUR
50+3.34 EUR
100+3.26 EUR
480+3.18 EUR
720+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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32+5.25 EUR
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50+3.17 EUR
100+3.01 EUR
480+2.86 EUR
720+2.53 EUR
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480+3.61 EUR
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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20+9.15 EUR
31+5.49 EUR
100+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw30n160r5-datasheet-en.pdf Description: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/290ns
Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
auf Bestellung 15966 Stücke:
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3+9.23 EUR
30+5.15 EUR
120+4.25 EUR
510+3.59 EUR
1020+3.36 EUR
2010+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0014934680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
Verlustleistung: 263W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 13446 Stücke:
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20+13.11 EUR
30+7.98 EUR
100+5.49 EUR
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1000+5.27 EUR
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N160R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 205nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
auf Bestellung 24 Stücke:
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IHW30N160R5XKSA1 infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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22+8.23 EUR
32+5.37 EUR
49+3.46 EUR
50+3.34 EUR
100+3.26 EUR
480+3.18 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AnzahlPrivatkunde
22+8.23 EUR
32+5.25 EUR
49+3.33 EUR
50+3.17 EUR
100+3.01 EUR
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IGBTs HOME APPLIANCES
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10+5.15 EUR
100+4.08 EUR
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Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/290ns
Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
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IHW30N160R5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
Verlustleistung: 263W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
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usEccn: EAR99
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AnzahlPrivatkunde
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30+7.98 EUR
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IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 411ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 205nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
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