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IKW40N120T2

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IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
auf Bestellung 18 Stücke:
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10+7.49 EUR
11+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IKW40N120T2 IKW40N120T2
Produktcode: 73806
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IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw40n120t2dsen.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2673 Stücke:
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IKW40N120T2 IKW40N120T2 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw40n120t2dsen.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 720 Stücke:
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13+11.71 EUR
25+10.77 EUR
50+9.96 EUR
100+9.24 EUR
250+8.59 EUR
500+8.01 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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auf Bestellung 537 Stücke:
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1+11.77 EUR
10+7.43 EUR
100+6.25 EUR
480+5.91 EUR
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IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IKW40N120T2_Rev2_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d87b3ad5 Description: IGBT TRENCH 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W
auf Bestellung 2838 Stücke:
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Anzahl Preis
2+12.81 EUR
30+7.44 EUR
120+6.26 EUR
510+5.39 EUR
1020+5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IKW40N120T2 IKW40N120T2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 687 Stücke:
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1+13.22 EUR
10+9.31 EUR
100+7.52 EUR
480+6.67 EUR
1200+5.91 EUR
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IKW40N120T2 IKW40N120T2 Hersteller : Infineon info-tikw40n120t2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
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IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0005119922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IKW40N120T2 Hersteller : Infineon IGBT 1200 В, 40 А, PG-TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw40n120t2dsen.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonikw40n120t2dsen.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N120T2FKSA1 Hersteller : Infineon IKW40N120T2_Rev2_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d87b3ad5 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами керамічний 10А 250В 5x20мм.
Nennstrom, А: 10 А
Größe: 5х20 mm; dвив. = 0,65 mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Кераміка
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
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erwartet: 1000 St.
1000 St. - erwartet
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GBU2510 (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBU
Urew: 1000V
I dir: 25A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: GBU25005, GBU2501, GBU2502, GBU2504, GBU2506, GBU2508, GBU15005, GBU1501, GBU1502, GBU1504, GBU1506, GBU1508, GBU1510, GBU10005, GBU1001, GBU1002, GBU1004, GBU1006, GBU1008, GBU1010
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 350 A
№ 7: 8541 10 00 10
verfügbar: 185 St.
10 St. - stock Köln
175 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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