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IKW40N120T2

Produktcode: 150870
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies infineonikw40n120t2dsen.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies infineonikw40n120t2dsen.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon Technologies infineonikw40n120t2dsen.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies infineon_ikw40n120t2_ds_en.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
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IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies IKW40N120T2_Rev2_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d87b3ad5 Description: IGBT TRENCH 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON INFN-S-A0005119922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 480W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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100+10.41 EUR
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IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon info-tikw40n120t2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IKW40N120T2FKSA1 infineonikw40n120t2dsen.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW40N120T2FKSA1 infineonikw40n120t2dsen.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2673 Stücke:
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IKW40N120T2 infineonikw40n120t2dsen.pdf
IKW40N120T2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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50+12.45 EUR
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500+10.73 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IKW40N120T2FKSA1 infineon_ikw40n120t2_ds_en.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
auf Bestellung 407 Stücke:
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IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2_Rev2_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d87b3ad5
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W
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IKW40N120T2FKSA1 INFN-S-A0005119922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 480W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IKW40N120T2 info-tikw40n120t2.pdf
IKW40N120T2
Hersteller: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Sicherung 5x20mm 10А 250VAC keramisch mit Anschlüssen 50CT(P)-100H Hollyland
Produktcode: 195708
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50CT-hollyland-datasheet.pdf
Sicherung 5x20mm 10А 250VAC keramisch mit Anschlüssen 50CT(P)-100H Hollyland
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung Schmelz mit axialen Anschlüssen keramisch 10A 250V 5x20mm.
Nennstrom: 10 A
Größe: 5x20 mm; dAnschl.. = 0.65 mm
Bauform: Mit Anschlüssen
Gehäusematerial: Keramik
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Träge
auf Bestellung: 898 St.
  • 898 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IHW30N160R5XKSA1
Produktcode: 180199
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Infineon_IHW30N160R5_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,85 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 60 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 39 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 263 Вт
auf Bestellung: 33 St.
  • 33 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GBU2510 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42585
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GBU10_GBU15_GBU25.pdf
GBU2510 (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ/SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBU
Sperrspannung Urev, V: 1000 V
Durchlassstrom Idir, A: 25 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: GBU25005, GBU2501, GBU2502, GBU2504, GBU2506, GBU2508, GBU15005, GBU1501, GBU1502, GBU1504, GBU1506, GBU1508, GBU1510, GBU10005, GBU1001, GBU1002, GBU1004, GBU1006, GBU1008, GBU1010
Montage: THT
Impulsstrom, A: 350 А
UKTZED: 8541 10 00 10
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
auf Bestellung: 552 St.
  • 552 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2+0.79 EUR
10+0.71 EUR
100+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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