Technische Details IHW30N65R5 Infineon technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 88W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 153nC, Kind of package: tube, Collector current: 30A, Collector-emitter voltage: 650V, Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT), Pulsed collector current: 90A, Turn-off time: 228ns, Gate-emitter voltage: ±20V.
Weitere Produktangebote IHW30N65R5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IHW30N65R5 | Rochester Electronics, LLC |
 Description: IHW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IHW30N65R5 | Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IHW30N65R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 88W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 153nC Kind of package: tube Collector current: 30A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Pulsed collector current: 90A Turn-off time: 228ns Gate-emitter voltage: ±20V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IHW30N65R5 |
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Hersteller: Rochester Electronics, LLC
Description: IHW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Description: IHW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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| IHW30N65R5 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
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| IHW30N65R5XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 228ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 228ns
Gate-emitter voltage: ±20V
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