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IKB40N65EF5ATMA1

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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
    IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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    IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 75 Stücke:
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    IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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    Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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    IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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    500+3.01 EUR
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    IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB40N65EF5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
    auf Bestellung 1324 Stücke:
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    IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 INFINEON 2619564.pdf Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    rohsCompliant: YES
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    isCanonical: Y
    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
    MSL: -
    usEccn: EAR99
    euEccn: NLR
    Verlustleistung: 250W
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
    Dauerkollektorstrom: 74A
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: TRENCHSTOP 5
    Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    auf Bestellung 19 Stücke:
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    IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 INFINEON 2619564.pdf Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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    Transistormontage: Oberflächenmontage
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    Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
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    Verlustleistung: 250W
    Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
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    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: TRENCHSTOP 5
    Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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    IKB40N65EF5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
    Supplier Device Package: PG-TO263-3
    IGBT Type: Trench Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
    Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
    Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
    Gate Charge: 95 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
    Power - Max: 250 W
    auf Bestellung 886 Stücke:
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    2+9.1 EUR
    10+6.04 EUR
    100+4.29 EUR
    500+3.55 EUR
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    IKB40N65EF5ATMA1 infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf
    IKB40N65EF5ATMA1
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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    IKB40N65EF5ATMA1 infineon-ikb40n65ef5-datasheet-v02_01-en.pdf
    IKB40N65EF5ATMA1
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 75 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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    33+4.56 EUR
    39+3.64 EUR
    52+2.62 EUR
    Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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    IKB40N65EF5ATMA1
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 75 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPreis
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    39+3.72 EUR
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    IKB40N65EF5ATMA1
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    auf Bestellung 865 Stücke:
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    31+4.73 EUR
    100+3.43 EUR
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    Hersteller: Infineon Technologies
    IGBTs INDUSTRY
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    500+3.8 EUR
    1000+3.38 EUR
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    IKB40N65EF5ATMA1 2619564.pdf
    IKB40N65EF5ATMA1
    Hersteller: INFINEON
    Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
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    Produktpalette: TRENCHSTOP 5
    Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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    IKB40N65EF5ATMA1
    Hersteller: INFINEON
    Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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    Produktpalette: TRENCHSTOP 5
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    IKB40N65EF5ATMA1
    Hersteller: Infineon Technologies
    Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
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    Supplier Device Package: PG-TO263-3
    IGBT Type: Trench Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
    Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
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    Gate Charge: 95 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
    Power - Max: 250 W
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